BT15T120CNF (Huajing Microelectronics)
Silicon FS Planar IGBT

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FS 绝缘栅双极型晶体管
BT15T120 CNF
R
概述
华晶 1200V Trench FS IGBT 采用先进的沟槽栅 FS 技术,具
有良好的导通和开关特性的特点。
产品封装形式:TO-3P(N) ,符合 RoHS 指令要求
特点
l 沟槽栅 FS 技术,正温度系数
l 低同态压降: VCE(sat), TYP= 2.0V@ IC = 15ATC = 25°C
VCES
IC
Ptot TC=25℃)
VCE(SAT)
1200
15
160
2.0
V
A
W
V
用途
主要用于电磁炉等电磁加热(IH)设备。
极限值(除非另有规定,Ta= 25℃)
符号
参数名称
VCES
VGES
IC
ICMa1
IF
IFM
PD
TJTstg
TL
热特性
最高集电极-发射极直流电压
最高栅极-发射极直流电压
集电极电流
集电极电流 @TC = 100 °C
最大脉冲集电极电流(注 1
二极管正向电流@TC = 100 °C
最大二极管正向电流@TC = 100 °C
耗散功率 @ TC = 25°C
耗散功率 @TC = 100 °C
工作结、存储温度范围
引线最高焊接温度
符号
RθJC
RθJC
RθJA
参数名称
IGBT 结到管壳热阻
反并联二极管结到管壳热阻
结到环境热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
额定值
1200
±20
30
15
45
15
45
160
65
-55 to +150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
额定值
0.55
1.0
35
最大值
0.8
2
40
单位
/W
/W
/W
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电特性 (除非另有规定,Tc= 25℃)
态参数
符号
参数名称
VCES
ICES
IGES(F)
IGES(R)
集电极-发射极击穿电压
栅压集电极电流
正向栅极电流
向栅极电流
态特性
符号
参数名称
VCE(sat) 和压降
VGE(th) 值电压
脉冲tp300µs,δ≤2%
态特性
符号
参数名称
Cies 输入
Coes 输出
Cres 反馈
测试条件
参数规
. 典型值 最大值
VGE=0V,ICE=250uA 1200 --
--
VGE =0V,VCE=VCES -- -- 1.0
VGE =+20V
-- -- +250
VGE =-20V
-- -- -250
单位
V
mA
nA
nA
测试条件
参数规
典型值 最大值
IC=15A,VGE=15V -- 2.0 2.5
IC=250uA,VCE=VGE 4.5 6.0 7.5
单位
V
V
测试条件
参数规
典型值 最大值
-- 2485
VCE=30V,VGE=0V
f=1MHz
--
51
-- 27.6
单位
pF
开关特性
符号
参数名称
td(ON)
tr
td(OFF)
tf
Eon
Eoff
Ets
Qg
Qge
Qgc
开通延迟
上升时间
断延迟
时间
开通
断损
开关
栅电
G-E
G-C
测试条件
参数规
. 典型值 最大值
-- 37
-- 25
VCE=600V,IC=15A
VGE=15V, Rg=10Ω
Inductive Load
--
--
--
90
93
0.9
-- 0.4
-- 1.3
VCE=600V,IC=15A
VGE=15V
--
--
--
92
25
37
单位
ns
mJ
nC
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二极管电特性 (除非另有规定,Tc= 25℃)
符号
参数名称
测试条件
VFM 正向压降
Trr 恢复时间
Irr 恢复电流
Qrr 恢复
脉冲tp300µs,δ≤2%
IF=15A
IF=15A
di/dt=200A/uS
1:脉冲最高限制
参数规
典型值 最大值
-- 1.7
-- 253
-- 14
-- 1.8
单位
V
ns
A
uC
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典型电性能特性
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1. 输出特性曲线
2. 输出特性曲线高低温对比
3. 饱和压降与结温的关系
4. 常温饱和压降与栅压关系
5. 高温饱和压降与栅压关系
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6. 电容特性
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R
15. 反向恢复时间
7. 开启特性与栅电阻关系
8. 关断特性与栅电阻关系
9. 开关损耗与栅电阻关系
10. 开启特性与集电极电流关系
11. 关断特新与集电极电流关系
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12. 开关损耗与集电极电流关系
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R
13. 正向特性
14. 反向恢复电流
15. 反向恢复时间
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16. IGBT热阻特性
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外形图:
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Items
A
B
C
D
E
F
G1
G2
H
I
L
N
无锡华润华晶微电子有限公司
Values(mm)
MIN
15.00
19.20
4.60
1.40
0.90
0.50
2.00
3.00
3.00
1.20
2.70
19.00
6.40
5.25
3.10
TO-3P(N) Package
MAX
16.00
20.60
5.00
1.60
1.10
0.70
2.20
3.20
3.70
1.70
2.90
21.00
7.60
5.65
3.30
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有害物质说明
害物质或元素
邻苯
部件名称
多溴 多溴
邻苯
镉 六价铬
甲酸
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求) Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
树脂
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○
内引线
○○ ○○ ○ ○ ○ ○
焊料
×○ ○○ ○ ○ ○ ○
说明
表示该元素含量在 SJ/T11363-2006 标准限量要求
×表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准限量要求。
目前产品的焊料Pb成分但属欧盟 RoHS 指令豁免范围
邻苯
甲酸
丁酯
DBP
0.1%
邻苯
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
说明
包装说明:
1)产品的装,采用 25 /料条
2)产品的中包装,采用 40 /纸盒包
3)产品的大装,采用 2 /的大号纸板箱包装。
注意事项:
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订
相关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
4IGBT 器件对敏感,使用应注意保护,避免击穿
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址中国江苏无锡市梁溪路 14
市场营销
服务
邮编214061
网址http://www. crhj.com.cn
0510-85807228
传真0510-85800864
邮编214061
0510-81805277 / 81805336
E-mailsales@crhj.com.cn 传真0510-85800360
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0510-81805243
E-mailapply@crhj.com.cn 传真0510-81805110
无锡华润华晶微电子有限公司
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8/8




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