SVF20NE60PN Datasheet PDF - SILAN MICROELECTRONICS


www.Datasheet-PDF.com

SVF20NE60PN
SILAN MICROELECTRONICS

Part Number SVF20NE60PN
Description 600V N-CHANNEL MOSFET
Page 7 Pages

SVF20NE60PN datasheet pdf
View PDF for PC
SVF20NE60PN pdf
View PDF for Mobile


No Preview Available !

SVF20NE60PN 说明书
20A600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF20NE60PN N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS 场 效 应 晶 体
管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H PWM 马达驱动。
特点
20A600VRDS(on)(典型值)=0.25Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称
SVF20NE60PN
封装形式
TO-3PN
打印名称
20NE60
材料
无铅
包装
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1
2012.06.04
共7页 第1页



No Preview Available !

SVF20NE60PN 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率(TC=25°C
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
参数范围
600
±30
20.0
12.6
80.0
260
2.08
1807
-55+150
-55+150
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
参数范围
0.48
50
电性参数(除非特殊说明TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BBVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0VID=250µA
VDS=600VVGS=0V
VGS=±30VVDS=0V
VGS= VDSID=250µA
VGS=10VID=10.0A
VDS=25VVGS=0V
f=1.0MHz
VDD=300VID=20.0A
RG=25Ω
(23)
VDD=480VID=20.0A
VGS=10V
(23)
最小值
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.25
3590
377
11.8
86.67
189.33
168.67
110.67
63.46
20.63
19.49
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.35
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
W/°C
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
µA
V
Ω
pF
ns
nC
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1
2012.06.04
共7页 第2页



No Preview Available !

SVF20NE60PN 说明书
-漏二极管特性参数
参数
符号
测试条件
最小值
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:
IS
MOS 管中源极、漏极构成的
--
ISM 反偏 P-N
--
VSD IS=20.0AVGS=0V
--
Trr IS=20.0AVGS=0V
--
Qrr dIF/dt=100A/µS (2)
--
1. L=10mHIAS=17.10AVDD=115VRG=25Ω,开始温度 TJ=25°C
2. 脉冲测试: 脉冲宽度300μs,占空比2%
3. 基本上不受工作温度的影响。
典型值
--
--
--
672.85
9.23
最大值
20.0
80.0
1.3
--
--
典型特性曲线
单位
A
V
ns
µC
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1
2012.06.04
共7页 第3页



No Preview Available !

典型特性曲线
SVF20NE60PN 说明书
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1
2012.06.04
共7页 第4页




SVF20NE60PN datasheet pdf
Download PDF
SVF20NE60PN pdf
View PDF for Mobile


Similiar Datasheets : SVF20NE60PN

Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Privacy Policy + Contact