HB6298-2011 Datasheet PDF - Huatai Electronics


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HB6298-2011
Huatai Electronics

Part Number HB6298-2011
Description two lithium-ion / Li-Polymer charge management chip
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HB6298-2011 datasheet pdf
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深圳市华太电子有限公司
HB6298-2011.12.02
开关型单节、两节锂离子/锂聚合物充电管理芯片
1、 HB6298 功能简述
1.1、特性
● 适用于单节或两节锂离子/锂聚合物高效率充
电器设计
● 0.5%的充电电压控制精度
● 恒压充电电压值可通过外接电阻微调
● 智能电池检测
● 内置功率 MOSFET
● 软启动
● 开关频率 400KHz
● 可编程充电电流控制,最大充电电流可达 1.5A
● NTC 热敏接口监测电池温度
● LED 充电状态指示
● CYCLE-BY-CYCLE 电流限制,短路检测、保护
● 输入管脚最大耐压 18V
● 工作环境温度范围:-20℃~70℃
● TSSOP-20、QFN-20 两种封装形式
1.2、应用
● 手持设备,包括医疗手持设备
● Portable-DVD,PDA,移动蜂窝电话及智能手机
● 移动仪器
● 自充电电池组
● 独立充电器
1.3、概述
HB6298 为开关型单节或两节锂离子/锂聚合物电池
充电管理芯片,非常适合于便携式设备的充电管理应用。
HB6298 集内置功率 MOSFET、高精度电压和电流调节器、
预充、充电状态指示和充电截止等功能于一体,采用
TSSOP-20、QFN-20 两种封装形式。HB6298 对电池充电分
为三个阶段:预充(Pre-charge)、恒流(CC/Constant
Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程,恒流充
电电流通过外部电阻决定,最大充电电流为
1.5A.HB6298 集成 CYCLE-BY-CYCLE 电流限制、短路保
护,确保充电芯片安全工作.HB6298 集成 NTC 热敏电阻
接口,可以采集、处理电池的温度信息,保证充电电池
的安全工作温度.
2、 HB6298 应用电路
图 2.1、HB6298 应用示意图
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3、HB6298 功能框图
HB6298-2011.12.02
图 3.1、HB6298 功能框图
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4、管脚定义
HB6298-2011.12.02
图 4.1.1、TSSOP-20
图 4.1.2、QFN-20
序号
1
2
3&4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18&19
20
表 4.1、TSSOP-20 封装 HB6298 管脚描述(QFN-20 封装定义按照管脚名一一对应)
符号 I/O
描述
STAT2
O
(STAT1)绿
(STAT2)红 描述
STAT1
O
灭 没有充电或者无电池
灭 亮 正在充电
亮 灭 充电完成
灭 脉冲 1(0.5Hz) 故障状态
灭 脉冲 2(2.0Hz) 电池温度异常
VIN I 输入电源
VCC I 模拟供电输入,接一个电容到地
NC -
SLEEP
O SLEEP 模式输出端,用来控制边充边放的外置功率管
TTC - 振荡器外接电容,决定内部振荡频率,同时提供参考时钟,确定总的充电时间
当该引脚接地时,取消充电时间限制
TS I 温度传感信号输入
GND - 模拟地
BAT I 输出电流检测的负极输入端
SNS I 输出电流检测的正极输入端
NC -
VTSB
O 输出 3.2V 参考电压,最大提供 10mA 驱动能力,外接 1u 电容
VTRIM
I 与地或者 BAT 管脚之间外接电阻,微调满充电压
ISET2
I 外接电阻设置截止电流
ISET1
I 外接电阻控制预充电、恒电流充电电流
OUT O 高端 PMOSFET 功率管漏极连接点
CELL
I 0:两节锂电池充电
VTSB:单节锂电池充电
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5、HB6298 电气特性和推荐工作条件
表 5.1、HB6298 推荐工作条件
参数
最小值 典型值 最大值 单位
电源电压
5
6 18 V
电源电压
9
12 18 V
环境温度
-20
70 ℃
HB6298-2011.12.02
备注
单节电池充电
双节电池充电
6、HB6298 性能参数
参数
输入电流
VCC 供电电流
SLEEP 模式电流
电压调整
输出电压
输出电压精度
充电电流
恒流充电电流 A
检流电阻 RSNS 两端电压
恒流电流设置电压
恒流电流设置系数
预充电电流
预充电转快速充电阈值电压
预充电电流范围
预充电电流设置电压
预充电电流设置系数
充电截止电流
充电截止电流范围
截止电流设置电压
截止电流设置系数
再充电电压
再充电阈值电压
TTC 输入
TTC 系数
CTTC 电容
PWM
振荡频率
内置 POWER-MOS ON 阻抗
最大占空比
最小占空比
表 6.1、HB6298 性能参数(Ta=25℃)
符号
测试条件
最小
IVCC
VI(BAT)=4.2V
ISLP
VI(BAT)=8.4V
VOREG
单节电池
双节电池
-0.5%
ICHG
VIREG
VISET1
KISET1
200
VLOWV
IPRECHG
VISET1
KISET1
单节电池
双节电池
40
ITERM
VISET2
KISET2
20
VRCH
KTTC
CTTC
DMAX
DMIN 0%
典型
7
14
4.2
8.4
100
1
800
3
6
200
800
200
800
4.1
4.66
10
400
最大
单位
5 mA
uA
+0.5%
V
V
1500
mA
mV
V
V/A
V
V
300 mA
mV
V/A
300 mA
mV
V/A
V/cell
H/10nF
nF
400
98%
KHz
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