DDB6U85N16 Datasheet PDF - Eupec GmbH

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DDB6U85N16
Eupec GmbH

Part Number DDB6U85N16
Description (DDB6U85N12 - DDB6U85N18) Technische Information
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
TC = 100°C
TC = 84°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
VRRM
VRSM
IFRMSM
Id
IFSM
I²t
N B6
1200, 1400 V
1600, 1800 V
1300, 1500 V
1700, 1900 V
60 A
85 A
104 A
58 A
75 A
104 A
104 A
650 A
550 A
2100 A²s
1500 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = Tvj max, iF = 100A
vF max. 1,44 V
Schleusenspannung
www.DataSheet4U.comthreshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
Tvj = Tvj max
rT
forward slope resistance
0,75 V
5,5 m
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max,vR = VRRM
iR
max.
5 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
3,0 kV
3,6 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
RthJC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
pro Element / per chip
RthCK
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
max. 0,241
max. 1,450
max. 0,183
max. 1,100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
A /99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Toleranz / tolerance ±15%
Toleranz / tolerance +5% / -10%
f = 50Hz
M1
M2
G
N B6
Seite 3
page 3
Al2O3
6 Nm
4 Nm
typ. 220 g
12,5 mm
50 m/s²
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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn[° C / W] 0,60300 0,35000 0,06700 0,08400
τn[s] 0,30200 0,03780 0,00400 0,00109
www.DataSheet4U.comAnalytische Funktion:
ZthJC
=
nmax
R
thn1
e
t
τn
n=1
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