CR5229 Datasheet PDF - Chip-Rail


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CR5229
Chip-Rail

Part Number CR5229
Description Green energy-saving PWM current-mode flyback power switch
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CR522X-21/23/24/28/29
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
主要特点
z 内置 4ms 软启动以降低功率管开机尖
峰电流
z 采用轻载降频设计,以提高效率和降低
待机功耗
z 采用频率抖动以达到更好的 EMI 性能
z SENCE 峰值电流检测输入端内置前沿
消隐功能
z 无音频噪声工作模式
z 固定工作频率:50KHz
z 内置斜坡补偿
z 低的启动电流和工作电流
z 欠压锁定保护(UVLO
z 过载保护(OLP)
z 过温保护(OTP
z 过压保护(OVP)
z 具有动态峰值限定功能,在全电压输入
范围内获得比较一致的最大输出功率
z 保护解除后自动恢复功能
z 3000V ESD
z 高压 BiCMOS 工艺
z 内置 600V MOSFET
z DIP-8LSOP-8L 绿色封装
应用
z AC/DC 电源适配器
z DVD/DVB 电源
z 备用开关电源
z ADSL 等无线路由器开关电源
概述
CR522X 是内置高压功率 MOSFET 的电流模反激 PWM 控制芯片,适用于 18W 以内的
离线式反激开关电源,具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。
为了保证芯片正常工作,CR522X 针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能
的保护措施,包括软启动、过温保护(OTP)、VDD 欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP
及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等,特别对
音频噪声和 FM 干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获
得良好的 EMI 性能。
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CR522X
引脚排列图
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
引脚描述
DIP-8L
SOP-8L
名称
GND
FB
VDDG
SENSE
VDD
Drain
描述
地。
反馈输入引脚。PWM 控制器的占空比由此引脚上的反馈电压和 SENSE 引脚
上的检测电压共同决定。
内部栅极驱动电源输入。
电流采样输入。
芯片电源。
高压 MOSFET 漏极,连接在变压器初级侧线圈一端,线圈另一端接整流输
入电容阳极。
典型应用
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CR522X
功能框图
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
极限参数
符号
VDRAIN
VDD
VDDG
IVDD
VFB
VSense
ESD
TL
TSTG
TJ
参数
源漏击穿电压
工作电压
功率输出电路的电源电压
VDD箝位的连续电流
FB引脚工作电压
SENSE引脚工作电压
ESD能力-人体模式
ESD能力-机械模式
焊接温度
20DIP-8L
20SOP-8L
储存温度范围
工作结温范围
推荐工作环境
产品
CR5223
CR5221
CR5224
CR5228
CR5229
封装
SOP-8L
DIP-8L
DIP-8L
DIP-8L
DIP-8L
230VAC ±15%
开放式 1
7W
9W
15W
18W
24W
-0.3V~VBR(DS)
30
30
10
-0.3 to 7V
-0.3 to 7V
3000
250
260
260
-55 to + 150
-20 to + 150
单位
V
V
V
mA
V
V
V
V
85-265VAC
开放式 1
6W
8W
12W
15W
18W
1. 开放式应用实际最大功率必须保证足够的 Deain 散热面积,测试条件 50℃环境温度。增加散热面积或风
冷来减小热阻可以获得更高的输出功率。
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CR522X
电气特性
Ta=25°C (除了另作说明), VDD = 16V
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
符号
VDD 供电部分
参数
Istartup
VDD 启动电流
IVDD
(Operation)
UVLO(ON
)
UVLO(OFF
)
工作电流
VDD 进入欠压锁定
的阈值
VDD 退出欠压锁定
的阈值
VthOVP(ON) VDD 过压保护阈值
VDD_Clamp VDD 箝位电压
反馈输入部分
VFB_Open FB 脚开路电压
IFB_Short FB 脚短路电流
VTH_0D
零占空比时 FB 阈值
电压
VTH_PL 过载 FB 阈值电压
TD_PL 过载延迟时间
ZFB_IN FB 端输入阻抗
电流检测部分
TSoft
软启动时间
T_blanking 前沿消隐时间
ZSENSE_IN
TD_OC
SENSE 端输入阻抗
过流检测控制延迟时
VTH_OC 电流限制阈值电压
振荡器部分
Fosc 正常的振荡频率
f_Temp
f_VDD
温度与频率稳定性
VDD 电压与频率稳
定性
D_max 最大占空比
F_Burst Burst Mode 频率
高压功率 MOSFET 部分
BVdss
MOSFET 漏 源 击 穿
电压
测试条件
VDD=14.1V, 测试
流入 VDD 端口的漏
电流
VFB=3V
CS=0V, FB=3V
升高 VDD 电压,
直到 Gate 关闭
IDD=10mA
短路 FB 脚到地,
测试短路电流
从过流发生到 Gate
驱动关闭的时间
FB=3.3V
FB=3.3V, CS=0V
VGS=0V, IDS=250uA
最小
8.5
14.2
27.0
5.4
0.76
45
70
600
典型 最大 单位
3 20 uA
2 mA
9 9.5 V
14.8 16 V
28.5 30.0 V
30 V
5.6 6.0 V
1.55 mA
0.8 V
3.7 V
50 mS
4 K
4 ms
300 ns
40 K
120 nS
0.8 0.82 V
50 55 KHz
5%
5%
80 90 %
22 KHz
V
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