BLD135D Datasheet PDF - Shenzhen SI Semiconductors

No Preview Available ! 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. 产品规格书 Product Specification NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS BLD135D ●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范 ■ ■ ■ ■●FEATURES： HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT ●应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源 ■ ■ ■●APPLICATION: FLUORESCENT LAMP ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY ●最大额定值（Tc=25°C） ●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C） TO-126/126S/220/220S 参数 符号 额定值 单位 PARAMETER SYMBOL VALUE UNTI 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage VCBO 700 V 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V 发射极-基极电压 Emitter- Base Voltage 集电极电流 Collector Current VEBO IC 9V 3.5 A 集电极耗散功率 TO-126/126S:50 Total Power Dissipation Ptot TO-220/220S:55 W 最高工作温度 Junction Temperature Tj 150 °C 贮存温度 Storage Temperature Tstg -65-150 ●电特性（Tc=25°C） ●Electronic Characteristics（Tc=25°C） °C 参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 ChARACTERISTICS 集电极-基极截止电流 Collector-Base Cutoff Current SYMBOL ICBO TEST CONDITION VCB=700V MIN MAX 100 UNIT μA 集电极-发射极截止电流 Collector-Emitter Cutoff Current ICEO VCE=400V,IB=0 250 μA 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage VCBO VCEO IC=1mA,IE=0 IC=10mA,IB=0 700 400 V V 发射极-基极电压 Emitter -Base Voltage VEBO IE=1mA,IC=0 9 V 集电极-发射极饱和电压 Collector-Emitter Saturation Voltage Vcesat IC=0.8A,IB=0.2A IC=3A,IB=0.6A 0.3 V 1.2 发射极-基极饱和电压 Base-Emitter Saturation Voltage Vbesat IC=3A,IB=0.6A 1.2 V 电流放大倍数 DC Current Gain VCE=5V,IC=1mA hFE VCE=5V,IC=0.2A VCE=5V,IC=3.5A 7 10 5 40 贮存时间/Storage Time 下降时间/Falling Time tS VCC=5V,IC=0.5A, 2.0 tf (UI9600) 4.0 0.8 µs 内置二极管正向压降 Diode Forward Voltage VF IF=1.8A 2.0 V ●订单信息/ORDERING INFORMATION: 包装形式/PACKING 订货编码/ORDERING CODE 普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free TO-126 普通袋装/NORMAL PACKING BLD135D TO-126 BLD135D TO-126-HF TO-126S 普通袋装/NORMAL PACKING BLD135D TO-126S BLD135D TO-126S-HF TO-220 普通袋装/NORMAL PACKING BLD135D TO-220 BLD135D TO-220-HF TO-220S 普通袋装/NORMAL PACKING BLD135D TO-220S BLD135D TO-220S-HF TO-220 条管装/TUBE PACKING BLD135D TO-220-TU BLD135D TO-220-TU-HF 1 Si semiconductors 2013.12

No Preview Available ! 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS 产品规格书 Product Specification BLD135D SOA (DC) TO-126/126S TO-220/220S % 120 100 80 60 40 20 0 0 Ptot∝Tj IS/B Ptot 50 100 150 Tj(℃)200 100.00 hFE hFE - Ic 10.00 Tj=125℃ Tj=25℃ Tj= − 40℃ 100.00 hFE hFE - Ic Tj=125℃ 10.00 Tj=25℃ Tj= − 40℃ Vce=1.5V Vce=5V 1.00 0.001 0.01 10.00 Vces(v) hFE=5 0.1 Vcesat - Ic 1 Tj=125℃ Ic(A) 10 Tj=25℃ 1.00 0.001 0.01 10.00 Vbes(v) hFE=5 0.1 1 Vbesat - Ic Ic(A) 10 1.00 0.10 Tj= − 40℃ 1.00 Tj= − 40℃ Tj=25℃ Tj=125℃ 0.01 0.1 Ic(A) 0.10 1 10 0.1 Si semiconductors 2013.12 Ic(A) 1 10 2

No Preview Available ! 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. 产品规格书 Product Specification 符号 SYMBOL A B b c D E e 最小值 min 2.30 1.15 0.65 0.40 10.50 7.20 TO-126 封装机械尺寸 TO-126 MECHANICAL DATA 典型值 nom 2.29 最大值 max 2.80 1.42 0.90 0.65 11.10 7.80 符号 SYMBOL L L1 φP φP1 Q Q1 R 最小值 min 15.00 1.50 2.90 3.60 0.90 单位:毫米/UNIT：mm 典型值 nom 最大值 max 16.50 2.54 3.60 5.00 4.40 1.50 0.50 Si semiconductors 2013.12 3

No Preview Available ! 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. 产品规格书 Product Specification 符号 SYMBOL A B b c D E e 最小值 min 2.30 1.15 0.65 0.35 10.50 7.20 TO-126S 封装机械尺寸 TO-126S MECHANICAL DATA 典型值 nom 2.29 最大值 max 2.80 1.42 0.90 0.65 11.10 7.80 符号 SYMBOL L L1 φP φP1 Q Q1 R 最小值 min 3.20 1.50 2.90 3.60 0.90 单位:毫米/UNIT：mm 典型值 nom 最大值 max 3.80 2.54 3.60 5.00 4.40 1.50 0.50 Si semiconductors 2013.12 4

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