3DD13005B3 Datasheet PDF - Huajing Microelectronics

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3DD13005B3
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD13005B3
Description Silicon NPN Transistor
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13005 B3
R
产品概述
3DD13005 B3 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺和少寿命
控制技术提高了产品
穿电压开关和可靠
性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
450
2.5
40
V
A
W
封装 TO-251
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
750
450
9
2.5
5
1.25
2.5
1.2
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
2012
最大值
3.2
104.1
单位
/W
/W
1/4



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3DD13005 B3
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.5A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=1A
IC=2A, IB=0.5A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=2A, IB=0.5A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.25A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35~40
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
750
450
9
20 40
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.6 0.75
0.3 1 V
1 1.5 V
2 6 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb成分但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DD13005 B3
R
特性曲线
安全工作区(单脉冲)
10
1
DC
100μs
0.1 1ms
10ms
0.01
Ta=25
0.001
1 10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
1000
1
Ta=25
0.5
Ptot Ta 关系曲线
50
40
With Infinite Heatsink
30
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
Ta= -55
10
IB=5mA
0
02 468
集电极-发射极电压 VCE (V)
10
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1 1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
10
1.2
Ta=25
1
0.8
0.6
0.4
0.01
Ta=125
IC/IB=5
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2012
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3DD13005 B3
R
外形图:TO-251
项目
包装说明
A
B
C
C1
D
E
F
G
H
L
M
N
袋装:
1产品的小包装采用 500 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
料条:
1产品的小包装采用 75 /条的包装;
2产品中包装采用 40 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 10 /的大号纸板箱包装
(mm)
最小 最大
6.30 6.80
5.20 6.20
2.10 2.50
0.85 1.25
0.40 0.60
0.50 0.70
0.40 0.60
0.70 0.90
1.60 2.40
7.70 9.80
5.10 5.50
2.09 2.49
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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