3DD13005A7 Datasheet PDF - Huajing Microelectronics

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3DD13005A7
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD13005A7
Description Silicon NPN Transistor
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13005 A7
R
产品概述
3DD13005 A7 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
3
40
V
A
W
封装 TO-126F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
400
9
3
6
1.5
3
2
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
3.2
62.5
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DD13005 A7
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V,IC=0. 2A
IC=1A, IB=0.2A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=1A, IB=0.2A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 15~20~25~30~35
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
400
9
15 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.3 0.6 V
1 1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
害物质或元素
件名称
量要求
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
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3DD13005 A7
R
特性曲线
10
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
DC
0.1 1ms
10ms
0.01
Ta=25
0.001
1 10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
1000
IC-VCE 特性 (典型)
2
Ta=25
1
Ptot Ta 关系曲线
50
40
With Infinite Heatsink
30
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
Ta= -55
10
IB=10mA
0
0
2
46
8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
Ta=25
0.1
0.01
0.1
IC/IB=5
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1 1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1.4
1.2
Ta=25
1
0.8
0.6
0.4
0.01
Ta=125
IC/IB=5
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
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3DD13005 A7
R
外形图:TO-126F
项目
A
B
C
C1
E
F
G
H
K
TO-126
L TO-126-T
TO-126-S
N
包装说明
1产品的小包装采用 400 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 5 /的大号纸板箱包装
(mm)
最小 最大
7.50 8.20
10.30
11.20
3.10 3.50
1.70 2.20
0.60 0.80
0.30 0.60
1.17 1.37
1.90 2.30
3.60 3.80
15.00
17.00
8.50 9.50
5.00 6.20
2.09 2.49
2.90 3.10
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
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