3DD13003J7D Datasheet PDF - Huajing Microelectronics

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3DD13003J7D
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD13003J7D
Description Silicon NPN Transistor
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 J7D
R
产品概述
3DD13003 J7D
NPN 型功率开晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
关速和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
2
50
V
A
W
封装 TO-126F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
2
4
1
2
1.25
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
最大值
2.5
100
2015V01
单位
/W
/W
1/4



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3DD13003 J7D
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0. 5A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0. 5A
IC=2A, IB=0.5A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=2A, IB=0.5A
极管正向电压
Vf* If = 2 A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.25A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 2~3 ~4~5μs
hFE 分档 15~20~25~30
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15 30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.6 0.9
0.5 1 V
1 1.5 V
2.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
联苯
PBB
0.1%
苯醚
PBDE
0.1%
HBCDD
0.1%
邻苯邻苯甲 邻苯
甲酸酯 酸丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb成分但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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3DD13003 J7D
R
特性曲线
10
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
DC
0.1 1ms
10ms
0.01
0.001
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
1
Ta=25
Ptot Ta 关系曲线
50
40
With Infinite Heatsink
30
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
0.5 10
Ta= -55
IB=5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=4
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
10
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=4
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2015V01
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3DD13003 J7D
R
外形图:TO-126F
项目
A
B
C
C1
E
F
G
H
K
L
包装说明
1产品的小包装采用 400 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 5 /的大号纸板箱包装
N
(mm)
最小 最大
7.40 8.20
10.30
11.20
3.20 3.50
1.70 2.20
0.60 0.80
0.30 0.60
1.17 1.37
1.90 2.30
3.50 3.90
15.00
17.00
8.50 9.50
4.70 6.50
2.09 2.49
2.90 3.10
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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