3DD13002B1-7 Datasheet PDF - Huajing Microelectronics

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3DD13002B1-7
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD13002B1-7
Description Silicon NPN Transistor
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13002 B1-7
R
产品概述
3DD13002 B1-7
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术提高了产品击穿
开关和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
0.5
0.7
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
700
450
9
0.5
1.0
0.25
0.5
0.7
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
178
2012
单位
/W
1/4



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3DD13002 B1-7
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.2A, IB=40mA
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.2A, IB=40mA
贮存时间
ts UI9600IC=0.1A
上升时间
下降时间
tr
tf
UI9600IC=0.1A
特征频
fT
VCE=10V, IC=50mA
f=1MHz
* 脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 2~2.5~3~3.5~4μs hFE 分档 15~20~25~30
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
450
9
15 30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.2 0.6 V
1 1.5 V
1.5 4.5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DD13002 B1-7
R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
1
1
100μs
0.1
DC
0.01
1ms
10ms
0.001
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.2
Ta=25
0.8
0.6 Without Heatsink
0.4
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
0.1 10
Ta= -55
IB=1mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.01
IC/IB=5
0.1
集电极电流 IC (A)
1
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.001
Ta=25
Ta=125
IC/IB=5
0.01 0.1
集电极电流 IC (A)
1
2012
3/4



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外形图:TO-92
3DD13002 B1-7
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1产品的小包装采用 1000 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
编带:
外形图:
R
(mm)
最小
最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.20 1.40
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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